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Shinsuke Fujiwara
Sumitomo Electric Industries
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6H-index
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#1Masafumi HamakawaH-Index: 1
#2Ryota HideseH-Index: 8
Last.Shinsuke FujiwaraH-Index: 6
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#1Yuka YamoriH-Index: 1
#2Masafumi HamakawaH-Index: 1
Last.Shinsuke FujiwaraH-Index: 6
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#1Ayako FujiwaraH-Index: 2
#2Kiyoshi YasukawaH-Index: 42
Last.Shinsuke FujiwaraH-Index: 6
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#2Taro NishiguchiH-Index: 7
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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor substrate capable of improving the yield of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor substrate 10 has a main surface 1 and is made of single crystal silicon carbide. The main surface 1 contains a central region 3 or a region excepting the region within 5 mm from a circumference 2. In the case where the central region 3 is divided into square areas 4 having each side of 1 mm, in any of the square areas 4, a Burgers vector is...
#1Shinsuke FujiwaraH-Index: 6
#2Naoki AkasakaH-Index: 4
Last.Yuri IshiiH-Index: 4
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1 Citations
#1Tsutomu HoriH-Index: 1
#2Shin HaradaH-Index: 4
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L'invention concerne un substrat caracterise en ce que, dans une premiere surface circulaire (11), est formee une premiere partie entaillee (N1a) presentant une premiere forme. Dans une deuxieme surface circulaire (21) est formee une deuxieme partie entaillee (N2a) qui fait face a la premiere surface circulaire et presente une deuxieme forme. Une surface laterale (31) relie la premiere surface circulaire (11) et la deuxieme surface circulaire (21) entre elles. La premiere partie entaillee (N1a) ...
#1Taro NishiguchiH-Index: 7
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La presente invention concerne un procede de fabrication d'un substrat de carbure de silicium, comprenant : un substrat de base (10) comprenant du carbure de silicium et un substrat de SiC (20) comprenant du carbure de silicium monocristallin sont prepares ; et une couche intermediaire (80) comprenant du carbone, qui est un conducteur, est formee entre le substrat de base (10) et le substrat de SiC (20), joignant ainsi le substrat de base (10) et le substrat de SiC (20) l'un a l'autre.
#1Taro NishiguchiH-Index: 7
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La presente invention concerne un procede permettant d'elaborer au moins un substrat monocristallin (11) en carbure de silicium et chacun de tels substrats monocristallins comportant une face posterieure (B1) et une partie support (30) en carbure de silicium comportant une face anterieure (F0). Pendant cette elaboration, la face posterieure (B1) et/ou de la face anterieure (F0) sont formees par usinage mecanique. Ce procede de formation permet de former une couche superficielle presentant des de...
#1Taro NishiguchiH-Index: 7
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L'invention porte sur un substrat en carbure de silicium (81) qui comporte une region substrat (R1) et un support (30). La region substrat (R1) presente un premier substrat monocristallin (11). Le support (30) est lie a une premiere surface arriere (B1) du premier substrat monocristallin (11). Le premier substrat monocristallin (11) presente une plus faible densite de dislocation que celle du support (30). La region substrat (R1) et/ou le support (30) presente des vides.
#1Shin HashimotoH-Index: 8
#2Katsushi AkitaH-Index: 10
Last.Kensaku MotokiH-Index: 5
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